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STSJ60NH3LL
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±16V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- 8-SOIC-EP
- Serie
- STripFET™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 5.7 mOhm @ 7.5A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 3W (Ta), 50W (Tc)
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- Altri nomi
- 497-5252-1
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1810pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 24nC @ 4.5V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 30V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 30V 60A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 60A (Tc)
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