STV160NF02LAT4
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±15V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- 10-PowerSO
- Serie
- STripFET™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 2.7 mOhm @ 80A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 210W (Tc)
- imballaggio
- Tape & Reel (TR)
- Contenitore / involucro
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- temperatura di esercizio
- 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 5500pF @ 15V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 175nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 20V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 20V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 160A (Tc)
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