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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
5V @ 100µA
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-247
Serie
MDmesh™ K5
Rds On (max) a Id, Vgs
99 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
446W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-247-3
Altri nomi
497-17090
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Produttore tempi di consegna standard
42 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3260pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
900V
Descrizione dettagliata
N-Channel 900V 40A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
40A (Tc)

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