TP2535N3-G
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 2.4V @ 1mA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-92-3
- Serie
- -
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 25 Ohm @ 100mA, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 740mW (Ta)
- imballaggio
- Bulk
- Contenitore / involucro
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 125pF @ 25V
- Tipo FET
- P-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 350V
- Descrizione dettagliata
- P-Channel 350V 86mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 86mA (Tj)
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