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TSM2301BCX RFG
TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM2301BCX RFG

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
950mV @ 250µA
Vgs (Max)
±8V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
SOT-23
Serie
-
Rds On (max) a Id, Vgs
100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)
900mW (Ta)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi
TSM2301BCX RFGTR
TSM2301BCX RFGTR-ND
TSM2301BCXRFGTR
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
415pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Tipo FET
P-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)
20V
Descrizione dettagliata
P-Channel 20V 2.8A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
2.8A (Tc)

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