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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Atosn STCOK. > TSM2318CX RFG
TSM2318CX RFG
TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM2318CX RFG

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
3V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
SOT-23
Serie
-
Rds On (max) a Id, Vgs
45 mOhm @ 3.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
1.25W (Ta)
imballaggio
Original-Reel®
Contenitore / involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi
TSM2318CX RFGDKR
TSM2318CX RFGDKR-ND
TSM2318CXRFGDKR
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard
40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
40V
Descrizione dettagliata
N-Channel 40V 3.9A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
3.9A (Ta)

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