Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STW23NM60N
STW23NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19A TO-247
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STW23NM60N sono disponibili, Possiamo fornire STW23NM60N, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STW23NM60N e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STW23NM60N.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-247-3
- Serie
- MDmesh™ II
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 180 mOhm @ 9.5A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 150W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-247-3
- Altri nomi
- 497-7621-5
STW23NM60N-ND
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 2050pF @ 50V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 60nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 600V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 600V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 19A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STW23NM60N
- Scheda tecnica STW23NM60N
- Scheda tecnica STW23NM60N
- Scheda tecnica pdf STW23NM60N
- Scarica la scheda tecnica STW23NM60N
- Immagine STW23NM60N
- STW23NM60N parte
- ST STW23NM60N
- STMicroelectronics STW23NM60N