UNR511200L
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Parametri del prodotto
- Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
- 50V
- Vce saturazione (max) a Ib, Ic
- 250mV @ 300µA, 10mA
- Tipo transistor
- PNP - Pre-Biased
- Contenitore dispositivo fornitore
- SMini3-G1
- Serie
- -
- Resistor - Emitter Base (R2)
- 22 kOhms
- Resistor - Base (R1)
- 22 kOhms
- Potenza - Max
- 150mW
- imballaggio
- Tape & Reel (TR)
- Contenitore / involucro
- SC-70, SOT-323
- Altri nomi
- UN5112-(TX)
UN5112-TX
UN5112TR
UN5112TR-ND
UNR511200LTR
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenza - transizione
- 80MHz
- Descrizione dettagliata
- Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1
- Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
- 60 @ 5mA, 10V
- Corrente - Cutoff collettore (max)
- 500nA
- Corrente - collettore (Ic) (max)
- 100mA
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