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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > 2001
Microsemi

2001

Microsemi
TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT
Contiene piombo / RoHS non conforme

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    Parametri del prodotto

    Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
    Tipo transistor
    NPN
    Contenitore dispositivo fornitore
    55BT
    Serie
    -
    Potenza - Max
    5W
    imballaggio
    Bulk
    Contenitore / involucro
    55BT
    Altri nomi
    2001MS
    temperatura di esercizio
    -
    Di rumore (dB tip @ f)
    -
    Tipo montaggio
    Chassis Mount
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
    Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
    Guadagno
    9.5dB
    Frequenza - transizione
    2GHz
    Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 50V 250mA 2GHz 5W Chassis Mount 55BT
    Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 100mA, 5V
    Corrente - collettore (Ic) (max)
    250mA

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