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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N6059
2N6059
STMicroelectronics

2N6059

STMicroelectronics
TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic
3V @ 120mA, 12A
Tipo transistor
NPN - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore
TO-3
Serie
-
Potenza - Max
150W
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-204AA, TO-3
Altri nomi
497-2561-5
temperatura di esercizio
200°C (TJ)
Tipo montaggio
Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione
4MHz
Descrizione dettagliata
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 4MHz 150W Chassis Mount TO-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
750 @ 6A, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)
1mA
Corrente - collettore (Ic) (max)
12A
Numero di parte base
2N6059

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