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IRFH4210DTRPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 2.1V @ 100µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- PQFN (5x6)
- Serie
- HEXFET®
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 1.1 mOhm @ 50A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 3.5W (Ta), 125W (Tc)
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- 8-PowerTDFN
- Altri nomi
- IRFH4210DTRPBFCT
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 4812pF @ 13V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 77nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 25V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 25V 44A (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 44A (Ta)
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