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STW20NB50
STMicroelectronics

STW20NB50

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
Contiene piombo / RoHS non conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-247-3
Serie
PowerMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs
250 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-247-3
Altri nomi
497-2662-5
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
500V
Descrizione dettagliata
N-Channel 500V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
20A (Tc)

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