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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STW3N170
STW3N170
STMicroelectronics

STW3N170

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Senza piombo / RoHS conforme

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    Parametri del prodotto

    Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±30V
    Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
    Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247-3
    Serie
    PowerMESH™
    Rds On (max) a Id, Vgs
    13 Ohm @ 1.3A, 10V
    Dissipazione di potenza (max)
    160mW
    imballaggio
    Tube
    Contenitore / involucro
    TO-247-3
    Altri nomi
    497-16332-5
    temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo montaggio
    Through Hole
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
    Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
    Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1100pF @ 100V
    Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
    Tipo FET
    N-Channel
    Caratteristica FET
    -
    Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Tensione drain-source (Vdss)
    1700V
    Descrizione dettagliata
    N-Channel 1700V 2.6A (Tc) 160mW Through Hole TO-247-3
    Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Tc)

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