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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STF33N60M2
STF33N60M2
STMicroelectronics

STF33N60M2

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-220FP
Serie
MDmesh™ II Plus
Rds On (max) a Id, Vgs
125 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
35W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-220-3 Full Pack
Altri nomi
497-14217-5
STF33N60M2-ND
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1781pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
45.5nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
600V
Descrizione dettagliata
N-Channel 600V 26A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
26A (Tc)

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