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APT19F100J
Microsemi
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 5V @ 2.5mA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- ISOTOP®
- Serie
- POWER MOS 8™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 440 mOhm @ 16A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 460W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- SOT-227-4, miniBLOC
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Chassis Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 8500pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 260nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 1000V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 1000V 20A (Tc) 460W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 20A (Tc)
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