Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STD5N20T4
STD5N20T4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STD5N20T4 sono disponibili, Possiamo fornire STD5N20T4, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STD5N20T4 e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STD5N20T4.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- DPAK
- Serie
- MESH OVERLAY™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 800 mOhm @ 2.5A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 45W (Tc)
- imballaggio
- Original-Reel®
- Contenitore / involucro
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Altri nomi
- 497-6563-6
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 350pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 27nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 200V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 200V 5A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 5A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STD5N20T4
- Scheda tecnica STD5N20T4
- Scheda tecnica STD5N20T4
- Scheda tecnica pdf STD5N20T4
- Scarica la scheda tecnica STD5N20T4
- Immagine STD5N20T4
- STD5N20T4 parte
- ST STD5N20T4
- STMicroelectronics STD5N20T4