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MJD122T4
STMicroelectronics

MJD122T4

STMicroelectronics
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Tipo transistor
NPN - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore
DPAK
Serie
-
Potenza - Max
20W
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi
497-2469-2
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione
-
Descrizione dettagliata
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 20W Surface Mount DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max)
10µA
Corrente - collettore (Ic) (max)
8A
Numero di parte base
MJD122

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