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STL7DN6LF3
STMicroelectronics

STL7DN6LF3

STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore
PowerFlat™ (5x6)
Serie
STripFET™ III
Rds On (max) a Id, Vgs
43 mOhm @ 3A, 10V
Potenza - Max
52W
imballaggio
Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro
8-PowerVDFN
Altri nomi
497-13167-1
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
432pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 10V
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET
Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)
60V
Descrizione dettagliata
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 52W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
20A
Numero di parte base
ST*7DN

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