Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STP11N52K3
STP11N52K3
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 10A TO-220
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STP11N52K3 sono disponibili, Possiamo fornire STP11N52K3, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STP11N52K3 e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STP11N52K3.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4.5V @ 50µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-220
- Serie
- SuperMESH3™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 510 mOhm @ 5A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 125W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-220-3
- Altri nomi
- 497-11870-5
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1400pF @ 50V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 51nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 525V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 525V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 10A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STP11N52K3
- Scheda tecnica STP11N52K3
- Scheda tecnica STP11N52K3
- Scheda tecnica pdf STP11N52K3
- Scarica la scheda tecnica STP11N52K3
- Immagine STP11N52K3
- STP11N52K3 parte
- ST STP11N52K3
- STMicroelectronics STP11N52K3