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NAND512W3A2BN6E
STMicroelectronics

NAND512W3A2BN6E

STMicroelectronics
IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
50ns
Tensione di alimentazione -
2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia
FLASH - NAND
Contenitore dispositivo fornitore
48-TSOP
Serie
-
imballaggio
Tray
Contenitore / involucro
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Altri nomi
497-5040
temperatura di esercizio
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
Tipo di memoria
Non-Volatile
Dimensione della memoria
512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria
Parallel
Formato di memoria
FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata
FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 48-TSOP
Numero di parte base
NAND512
Tempo di accesso
50ns

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