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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STB55NF06LT4
STB55NF06LT4
STMicroelectronics

STB55NF06LT4

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
4.7V @ 250µA
Vgs (Max)
±16V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
D2PAK
Serie
STripFET™ II
Rds On (max) a Id, Vgs
18 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
95W (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi
497-7462-2
STB55NF06LT4-ND
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 4.5V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 5V
Tensione drain-source (Vdss)
60V
Descrizione dettagliata
N-Channel 60V 55A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
55A (Tc)

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