Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STD30NE06L
STD30NE06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STD30NE06L sono disponibili, Possiamo fornire STD30NE06L, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STD30NE06L e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STD30NE06L.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 2.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- DPAK
- Serie
- STripFET™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 28 mOhm @ 15A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 55W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- temperatura di esercizio
- 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 2370pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 41nC @ 5V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 60V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 60V 30A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount DPAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 30A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STD30NE06L
- Scheda tecnica STD30NE06L
- Scheda tecnica STD30NE06L
- Scheda tecnica pdf STD30NE06L
- Scarica la scheda tecnica STD30NE06L
- Immagine STD30NE06L
- STD30NE06L parte
- ST STD30NE06L
- STMicroelectronics STD30NE06L