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2N7002
STMicroelectronics

2N7002

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
3V @ 250µA
Vgs (Max)
±18V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
SOT-23-3
Serie
STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)
350mW (Tc)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi
497-3111-2
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
43pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 5V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
60V
Descrizione dettagliata
N-Channel 60V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
200mA (Tc)

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