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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STS20N3LLH6
STS20N3LLH6
STMicroelectronics

STS20N3LLH6

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
8-SO
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (max) a Id, Vgs
4.7 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
2.7W (Tc)
imballaggio
Original-Reel®
Contenitore / involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi
497-10580-6
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)
30V
Descrizione dettagliata
N-Channel 30V 20A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
20A (Tc)

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