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STL16N1VH5
STMicroelectronics

STL16N1VH5

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
500mV @ 250µA
Vgs (Max)
±8V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie
STripFET™ V
Rds On (max) a Id, Vgs
3 mOhm @ 8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio
Original-Reel®
Contenitore / involucro
8-PowerVDFN
Altri nomi
497-11846-6
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2085pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
26.5nC @ 4.5V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)
12V
Descrizione dettagliata
N-Channel 12V 16A (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
16A (Tc)

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