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STF30N65M5
STMicroelectronics

STF30N65M5

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FP
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-220FP
Serie
MDmesh™ V
Rds On (max) a Id, Vgs
139 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
30W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-220-3 Full Pack
Altri nomi
497-11395-5
STF30N65M5-ND
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2880pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
650V
Descrizione dettagliata
N-Channel 650V 22A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
22A (Tc)

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