Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STP4NB100
STP4NB100
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220
Contiene piombo / RoHS non conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STP4NB100 sono disponibili, Possiamo fornire STP4NB100, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STP4NB100 e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STP4NB100.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-220AB
- Serie
- PowerMESH™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 4.4 Ohm @ 2A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 125W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-220-3
- Altri nomi
- 497-2647-5
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1400pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 45nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 1000V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 1000V 3.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 3.8A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STP4NB100
- Scheda tecnica STP4NB100
- Scheda tecnica STP4NB100
- Scheda tecnica pdf STP4NB100
- Scarica la scheda tecnica STP4NB100
- Immagine STP4NB100
- STP4NB100 parte
- ST STP4NB100
- STMicroelectronics STP4NB100