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STQ1NK60ZR-AP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4.5V @ 50µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-92-3
- Serie
- SuperMESH™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 15 Ohm @ 400mA, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 3W (Tc)
- imballaggio
- Tape & Box (TB)
- Contenitore / involucro
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Altri nomi
- 497-12343-3
STQ1NK60ZRAP
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Produttore tempi di consegna standard
- 38 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 94pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 6.9nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 600V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 600V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 300mA (Tc)
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