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STL38N65M5
STMicroelectronics

STL38N65M5

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
PowerFlat™ (8x8) HV
Serie
MDmesh™ V
Rds On (max) a Id, Vgs
105 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
2.8W (Ta), 150W (Tc)
imballaggio
Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro
8-PowerVDFN
Altri nomi
497-13878-1
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard
42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
71nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
650V
Descrizione dettagliata
N-Channel 650V 3.5A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
3.5A (Ta), 22.5A (Tc)

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