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STL110N10F7
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- PowerFlat™ (5x6)
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 6 mOhm @ 10A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 136W (Tc)
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- 8-PowerVDFN
- Altri nomi
- 497-13877-1
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Produttore tempi di consegna standard
- 38 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 5117pF @ 50V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 72nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 100V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 100V 107A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 107A (Tc)
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