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CSD19533KCS
MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 3.4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-220-3
- Serie
- NexFET™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 10.5 mOhm @ 55A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 188W (Tc)
- imballaggio
- Tube
- Contenitore / involucro
- TO-220-3
- Altri nomi
- 296-37482-5
CSD19533KCS-ND
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Produttore tempi di consegna standard
- 35 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Request inventory verification / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 2670pF @ 50V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 35nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 100V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 100V 100A (Ta) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 100A (Ta)
- Numero di parte base
- CSD19533
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