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STP160N75F3
STMicroelectronics

STP160N75F3

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-220AB
Serie
STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs
4 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
330W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-220-3
Altri nomi
497-7508-5
STP160N75F3-ND
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
6750pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
75V
Descrizione dettagliata
N-Channel 75V 120A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
120A (Tc)

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