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STF19NM50N
STMicroelectronics

STF19NM50N

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Tensione - Prova
1000pF @ 50V
Tensione - Ripartizione
TO-220FP
Vgs (th) (max) a Id
250 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (Max)
10V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Serie
MDmesh™ II
Stato RoHS
Tube
Rds On (max) a Id, Vgs
14A (Tc)
Polarizzazione
TO-220-3 Full Pack
Altri nomi
497-12572-5
STF19NM50N-ND
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
22 Weeks
codice articolo del costruttore
STF19NM50N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
34nC @ 10V
Tipo IGBT
±25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
4V @ 250µA
Caratteristica FET
N-Channel
Descrizione espansione
N-Channel 500V 14A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Tensione drain-source (Vdss)
-
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
500V
rapporto di capacità
30W (Tc)

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