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STS8C5H30L
STMicroelectronics

STS8C5H30L

STMicroelectronics
MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
Senza piombo / RoHS conforme

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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore
8-SO
Serie
STripFET™ III
Rds On (max) a Id, Vgs
22 mOhm @ 4A, 10V
Potenza - Max
2W
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi
497-4398-2
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
857pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 5V
Tipo FET
N and P-Channel
Caratteristica FET
Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)
30V
Descrizione dettagliata
Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 5.4A 2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
8A, 5.4A
Numero di parte base
ST*8C5H

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