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CSD17551Q3A
MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 2.1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- 8-SON (3.3x3.3)
- Serie
- NexFET™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 9 mOhm @ 11A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 2.6W (Ta)
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- 8-PowerVDFN
- Altri nomi
- 296-35025-1
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1370pF @ 15V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 7.8nC @ 4.5V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 30V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 30V 12A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount 8-SON (3.3x3.3)
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 12A (Tc)
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