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STN1N20
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- SOT-223
- Serie
- MESH OVERLAY™
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 1.5 Ohm @ 500mA, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 2.9W (Tc)
- imballaggio
- Original-Reel®
- Contenitore / involucro
- TO-261-4, TO-261AA
- Altri nomi
- 497-3176-6
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 206pF @ 25V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 15.7nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 200V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 200V 1A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount SOT-223
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 1A (Tc)
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