Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STD13NM60N
STD13NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STD13NM60N sono disponibili, Possiamo fornire STD13NM60N, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STD13NM60N e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STD13NM60N.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- DPAK
- Serie
- MDmesh™ II
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 360 mOhm @ 5.5A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 90W (Tc)
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Altri nomi
- 497-8773-1
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 790pF @ 50V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 30nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 600V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 11A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STD13NM60N
- Scheda tecnica STD13NM60N
- Scheda tecnica STD13NM60N
- Scheda tecnica pdf STD13NM60N
- Scarica la scheda tecnica STD13NM60N
- Immagine STD13NM60N
- STD13NM60N parte
- ST STD13NM60N
- STMicroelectronics STD13NM60N