2N5013
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Parametri del prodotto
- Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
- 800V
- Tipo transistor
- NPN
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-5
- Serie
- -
- Potenza - Max
- 1W
- Contenitore / involucro
- TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- temperatura di esercizio
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Frequenza - transizione
- -
- Descrizione dettagliata
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-5
- Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
- 30 @ 20mA, 10V
- Corrente - Cutoff collettore (max)
- 10nA (ICBO)
- Corrente - collettore (Ic) (max)
- 200mA
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