2N6770
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-3
- Serie
- -
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 500 mOhm @ 12A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 4W (Ta), 150W (Tc)
- imballaggio
- Bulk
- Contenitore / involucro
- TO-204AE
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 120nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 500V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 500V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 12A (Tc)
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