2N6798
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- TO-39
- Serie
- -
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 400 mOhm @ 3.5A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 800mW (Ta), 25W (Tc)
- imballaggio
- Bulk
- Contenitore / involucro
- TO-205AF Metal Can
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 5.29nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 200V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 5.5A (Tc)
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