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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-254AA
Serie
-
Rds On (max) a Id, Vgs
70 mOhm @ 21A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
4W (Ta), 150W (Tc)
imballaggio
Bulk
Contenitore / involucro
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Contains lead / RoHS non-compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
100V
Descrizione dettagliata
N-Channel 100V 34A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
34A (Tc)

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