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    Parametri del prodotto

    Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    25V
    Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    600mV @ 30mA, 300mA
    Tipo transistor
    PNP
    Contenitore dispositivo fornitore
    Mini3-G1
    Serie
    -
    Potenza - Max
    200mW
    imballaggio
    Cut Tape (CT)
    Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Altri nomi
    2SB07100RLCT
    2SB710RCT
    2SB710RCT-ND
    temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
    Tipo montaggio
    Surface Mount
    Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
    Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Frequenza - transizione
    200MHz
    Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
    Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    120 @ 150mA, 10V
    Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
    Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA
    Numero di parte base
    2SB0710

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