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LAPIS Semiconductor

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Parametri del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic
1.5V @ 1.2mA, 600mA
Tipo transistor
PNP - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore
CPT3
Serie
-
Potenza - Max
1W
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione
-
Descrizione dettagliata
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 40V 2A 1W Surface Mount CPT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)
1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)
2A

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