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Parametri del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
32V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic
600mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor
NPN
Contenitore dispositivo fornitore
SPT
Serie
-
Potenza - Max
300mW
imballaggio
Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro
SC-72 Formed Leads
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione
250MHz
Descrizione dettagliata
Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 500mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
180 @ 100mA, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)
1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)
500mA

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