2SC3506
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Parametri del prodotto
- Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
- 800V
- Vce saturazione (max) a Ib, Ic
- 1.5V @ 400mA, 2A
- Tipo transistor
- NPN
- Contenitore dispositivo fornitore
- TOP-3F-A1
- Serie
- -
- Potenza - Max
- 3W
- imballaggio
- Bulk
- Contenitore / involucro
- TOP-3F
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenza - transizione
- 4MHz
- Descrizione dettagliata
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 3A 4MHz 3W Through Hole TOP-3F-A1
- Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
- 6 @ 2A, 5V
- Corrente - Cutoff collettore (max)
- 50µA (ICBO)
- Corrente - collettore (Ic) (max)
- 3A
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