2SD1994ARA
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Parametri del prodotto
- Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
- 50V
- Vce saturazione (max) a Ib, Ic
- 400mV @ 50mA, 500mA
- Tipo transistor
- NPN
- Contenitore dispositivo fornitore
- MT-2-A1
- Serie
- -
- Potenza - Max
- 1W
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- 3-SIP
- Altri nomi
- 2SD1994ARACT
2SD1994ARCT
2SD1994ARCT-ND
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Through Hole
- Livello di sensibilità umidità (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenza - transizione
- 200MHz
- Descrizione dettagliata
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 1A 200MHz 1W Through Hole MT-2-A1
- Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
- 120 @ 500mA, 10V
- Corrente - Cutoff collettore (max)
- 100nA (ICBO)
- Corrente - collettore (Ic) (max)
- 1A
- Numero di parte base
- 2SD1994
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