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STH320N4F6-2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Senza piombo / RoHS conforme
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Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- H²PAK
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 1.3 mOhm @ 80A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 300W (Tc)
- imballaggio
- Cut Tape (CT)
- Contenitore / involucro
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
- Altri nomi
- 497-13875-1
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Produttore tempi di consegna standard
- 38 Weeks
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 13800pF @ 15V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 240nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 40V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 40V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 200A (Tc)
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