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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
5V @ 2.5mA
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
T-MAX™ [B2]
Serie
POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs
350 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
690W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5185pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
186nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
1000V
Descrizione dettagliata
N-Channel 1000V 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
28A (Tc)

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