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Parametri del prodotto

Vgs (th) (max) a Id
5V @ 500µA
Vgs (Max)
±30V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TO-220 [K]
Serie
-
Rds On (max) a Id, Vgs
620 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)
225W (Tc)
imballaggio
Tube
Contenitore / involucro
TO-220-3
Altri nomi
APT12F60KMI
APT12F60KMI-ND
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Tensione drain-source (Vdss)
600V
Descrizione dettagliata
N-Channel 600V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
12A (Tc)

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