Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STB24NM60N
STB24NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Senza piombo / RoHS conforme
Richiedi prezzo e tempi di consegna
STB24NM60N sono disponibili, Possiamo fornire STB24NM60N, usa il modulo di richiesta preventivo per richiedere pirce STB24NM60N e tempi di consegna.Atosn.com un distributore di componenti elettronici professionale.Abbiamo un ampio inventario e possiamo consegne veloci, contattaci oggi e il nostro rappresentante di vendita ti fornirà il prezzo ei dettagli della spedizione sulla parte n. STB24NM60N.Include problemi di sdoganamento per abbinare il tuo paese, abbiamo un team di vendita professionalee il team tecnico, non vediamo l'ora di lavorare con te.
Richiedi preventivo
Parametri del prodotto
- Vgs (th) (max) a Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Contenitore dispositivo fornitore
- D2PAK
- Serie
- MDmesh™ II
- Rds On (max) a Id, Vgs
- 190 mOhm @ 8A, 10V
- Dissipazione di potenza (max)
- 125W (Tc)
- imballaggio
- Original-Reel®
- Contenitore / involucro
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Altri nomi
- 497-11211-6
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo montaggio
- Surface Mount
- Moisture Sensitivity Level (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1400pF @ 50V
- Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
- 46nC @ 10V
- Tipo FET
- N-Channel
- Caratteristica FET
- -
- Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Tensione drain-source (Vdss)
- 600V
- Descrizione dettagliata
- N-Channel 600V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
- 17A (Tc)
Prodotti Simili
- STMicroelectronics STB24NM60N
- Scheda tecnica STB24NM60N
- Scheda tecnica STB24NM60N
- Scheda tecnica pdf STB24NM60N
- Scarica la scheda tecnica STB24NM60N
- Immagine STB24NM60N
- STB24NM60N parte
- ST STB24NM60N
- STMicroelectronics STB24NM60N